据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率，见下表。

 

                    

 

SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。GaN是一种拥有类似于SiC性能优势的宽带隙材料，但拥有更大的成本控制潜力。

 

据分析师预测，氮化镓上硅设备与硅MOSFET、IGBT或整流器将在2019年实现平价和同等性能，至2022年GaN功率市场销售额将超过10亿大关。

 

SiC肖特基二极管在2012年的销售额超过1亿美元，是目前最畅销的SiC或GaN设备。至2022年这一数字将增加近一倍。

 

到那时，SiCMOSFET销售额预计将达到4亿美元，超越肖特基二极管成为最热卖的离散电源设备类型。虽然可靠性、价格及性能相近，SiCJFET和SiCBJT各自的销售额预计仅达到SiCMOSFET的一半。

 

虽然IHS预测SiC和GaN市场未来几年增长强劲，但与一年前相比，这一预测已是大打折扣了。这一变化的主要原因在于，全球经济的低迷现状使市调机构调低了对功率组件设备的出货量预测。SiC采用率预测也被大幅调低，因为设备价格并未如此前预测那样快速下跌。

 

相比之下，业界对GaN技术的信心有所提高，越来越多公司已宣布进行GaN研发。例如Transphorm已成为首家获得氮化镓上硅设备JEDEC资格的公司。