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TD-LTE终端厂商欲后程提速
通信产业报 | 2012-05-28 09:00

终端环节拖TD-LTE整体发展的后腿了吗?未必。

在中国3G用户群体逐渐壮大的基础之上,芯片厂商和终端厂商已经开始在TD-LTE市场中布局,并适时推出相应的产品。在中国移动提出了TD-LTE发展三年计划,并初步完成二阶段规模试验的时候,芯片厂商和终端制造商们已经开始酝酿,为获取新的市场商机开始行动,提速追赶TD-LTE的整体进度。

强“芯”剂

当前,TD-LTE正在进行的全国范围内的技术试验,工信部电信研究院标准研究所副所长魏然表示,在技术测试阶段,具体工作正是从系统芯片测试开始。终端芯片方面,7家芯片企业完成了单模芯片测试。针对芯片和系统的互操作测试,13家芯片企业参加了试验。终端一致性测试在2011年全面开展,今年年初又阶段性提升了终端一致性测试内容的范围、深度和广度,并且有9家芯片企业已经参与了测试。“国家将加强对于多模芯片、多模终端的推进,强化射频芯片,包括强化射频功放芯片的开发,抓紧推进智能手机和典型应用开发,这是非常关键的推进政策。”魏然表示。

也正在此时,联芯科技带来四款INNOPOWER原动力芯片及解决方案新品,其中就包括面向多模LTE市场的多模芯片LC1761。据了解,该系列产品包括支持到4G、3G、2G的LC1761,和纯4G版本,即支持TD-LTE和LTE FDD的双模基带芯片LC1761L。LC1761是一款支持祖冲之算法的LTE多模芯片,满足LTE预商用背景下工信部、中国移动对于多模终端芯片的需求。

据联芯科技董事长兼总裁孙玉望介绍,目前,在参加中国移动TD-LTE规模技术试验第二阶段的测试中,基于LC1760芯片的双模数据卡在现网测试下已经达到了下行速率59M。“数据类的终端采用40nm的芯片完全足够,但智能手机采用40nm工艺在功耗控制上可能会比较吃力,28nm从技术上来讲功耗可以做得更低,技术上更有保障。”孙玉望说。

终端与芯片同求突破

芯片研发工作暗流涌动,但面对商用推广的现状,TD-LTE的发展依然需要面对很多问题,这些问题也主要集中在终端的芯片和产品上。

影响TD-LTE商用的障碍有很多,最明显的就是功耗大和稳定性差,更要考虑对多模操作及语音和数据的支持问题。频段给终端芯片带来的挑战,主要集中在射频方面,这些技术上都可以克服,但频段的产品需求,联芯科技副总裁刘积堂认为预先规划非常重要。“芯片不是想加一个频段就能马上加的,开发芯片一般需要12个月到16个月的周期,很多时候需求突然到来,两三个月之后就要产品,挑战非常大。”刘积堂表示。

同样是面对挑战,终端厂商也早早开始试水。中国移动在上海世博会的展示活动中,酷派的TD-LTE产品已经登上了展台。当时,游客已经可以通过USB数据卡,体验真实的TD-LTE视频流、远程监控、视频会话、高速互联网浏览等功能。据酷派品牌部媒介资源部经理李旭青表示,公司已经着手开始与高通合作,在TD-LTE市场中发力,保持公司的市场地位。“在国家与运营商的整体布局中,终端厂商会有更多的机会。”李旭青说。

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