海思半导体有限公司、灿芯半导体（上海）有限公司和美国Open-Silicon公司宣布共同完成了一个无线网络芯片的设计，并于台积电65纳米制程上一次投片成功。此系统级芯片SoC在2009年9月完成全部设计并开始流片，其中从初始网表交付到出带（Taepout）的整个过程灿芯仅用了4个月的时间，完全满足了海思紧迫的时间进度的要求。目前工程样片已经出厂，并在海思实验室内的完成测试认定，测试结果表明改芯片性能符合所有应用条件下的要求。

这款SoC项目的设计极其复杂，它规模超过100million gates，超过8个内芯，高达800MHz的高速时钟系统和3.125G的高速传输接口。

该项目由灿芯半导体上海牵头组织执行，其工程师团队来自于不同地方，包括印度班加罗尔、美国加州硅谷和中国上海。三方合作方一致认为，紧密和谐的合作，明晰合理的规划，出色负责的项目管理和严谨完美的项目执行是这次如此紧迫项目成功的主要因素。

“通过本次65纳米的项目的合作，灿芯展示了如何运用先进的技术、高效的项目管理，以及与客户的友好协调能力来完成高性能SoC的标准ASIC的实现”，灿芯的总裁兼CEO，职春星博士表示，“灿芯再次向客户证明了自己在项目进度上的掌控能力，帮助客户缩短产品设计周期，提高其产品的市场竞争力。”

“这样复杂巨大的高端芯片虽然在北美并不少见，但是在4个月内完成设计并且一次流片成功却是凤毛麟角，”Open-Silicon CEO Naveed Sherwani 说，“Open-Silicon和灿芯半导体一起将一如既往为客户提供低成本，高可靠性的ASIC设计服务”。

“灿芯半导体和Open-Silicon以严谨专业的合作态度以及其先进的设计流程使得这个项目按时保质一次流片成功。这次的成功再次证明了他们的实力，也博得了同行的进一步尊重”，海思半导体副总裁何庭波对这次合作非常满意，给出了中肯的评价，同时希望双方能够进一步加强联系，深化合作。