在很多便携式无线设计中，发射器可能离音频电路仅仅数英寸。这样，如果设计人员未考虑天线的位置，设计就可能产生很多问题。常规的附加物，如增加屏蔽，对现今极其紧凑的电子产品来说可能不合适。在微型便携式无线产品中使射频干扰(RFI)最小化，一个重要考虑因素就是天线与设计的音频电路的相对位置。
这些早期研究的实验结果表明：1.增加串联电阻和寄生电容，输入电阻和反馈电阻值的增大可改善反相运放电路的抗射频干扰能力。这种电阻-电容(RC) 组合构成一低通滤波器，防止RFI到达音频放大器输入端。
2. 寄生电容Cin(反相与同相输入间)和CRg(电阻Rg分流)使反相运放电路的抗射频干扰能力比同相运放电路的更好。
3. 认为金属氧化物半导体(MOS)场效应管(FET)比双极型晶体管更不易受射频干扰影响，因RF信号感应使集电极电流的变化比因MOS管漏极电流感应而使集电极电流的变化要大。实际上，FET本质上比双极型晶体管更不易受射频干扰，这是因为其非线性更平滑。
4.此外，大多数音频运放都采用几何尺寸大、电压较高的CMOS工艺制作，其RF带宽比电压相当的双极型工艺的RF带宽窄得多。
以往这些研究证明，反馈电阻值更高，RFI电容的增加以及使用固有的更线性的MOSFET 输入器件都降低了射频干扰。但是还应该在近场条件下评估这些结果，以确定对附近存在很多不同电路分支的现代无线设计的有效性，包括天线。
图 4给出了一款研究天线布放处的近场干扰的评估板。如何用大多数高频模拟测试实验室标准设备组成测试平台，详细情况请参看Intersil公司的应用笔记AN1299(http://www.intersil.com/data/an/AN1299.pdf)。测试平台产生1kHz调制的扫描频率RF信号，用1kHz调制信号跟踪RF输入源和到音频放大器输出的信号路径。
天线端接一50Ω电阻，将天线环末端弯曲，宽度约等于集成电路(IC)封装的宽度。图 5给出了天线的布放和外部元件的对称布局，图 6以图表形式示出了近场和远场条件。双SL28291音频放大器的两个放大器(通道)的差分增益配置为10，使两输入端的阻抗相等。通道“A”的电阻5kΩ/500Ω，通道”B”的电阻为500kΩ/50kΩ，电阻值高两个数量级。
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