DRAM存储产业显疲态 DRAM价格逐一崩跌

DRAM 产业长达两年的荣景，远因是上游供应商的整合，让产业秩序健康化，近因则是应用端结构的质变。

早期计算机应用占了整个 DRAM 产业高达 90 % 份额，观察 DRAM 价格的变化只要看计算机卖得好不好的，就几乎能掌握全貌，然 PC 时代的结束，迎面而来是手机盛世到来，全球 DRAM 产业风貌也骤变。
 

智能手机、云服务器崛起，DRAM 应用多元化让产业发展更健康
 

智能手机的崛起，逐渐取代 PC 成为 DRAM 产业的主流，加上消费性电子成为该产业的利基型应用领域，这时候要掌握 DRAM 供需，以及价格走势的难度都明显大增。
 

前几年更有云服务器需求崛起，大量消耗 DRAM 产出，可以观察到，DRAM 的应用是十分多元化的。无论是供应商的整合，或是终端应用多元化，都让 DRAM 产业结构更为健康。
 

这一波超过两年的 DRAM 涨价潮，云服务器 DRAM 需求涌现的带动是功不可没的推手，包括 Facebook 、 Google 、亚马逊 ( Amazon )、腾讯、阿里巴巴等不断扩充网路存储系统，对于云存储、云计算的需求提升，都带动服务器 DRAM 需求起飞，更是吃掉多数的 DRAM 产能。
 

不过，今年下半年来自这些领域的需求动能开始明显趋缓。
 

之前为了因应需求涌入，上游国际存储大厂陆续增加服务器 DRAM 的产出比重，然下半年起，需求端却陆续有杂音出现，包括之前 DRAM 供给吃紧之际，部分客户为了保障拿货无虑，出现重复下单(Overbooking)的迹象，在这几个因素加乘影响，服务器 DRAM 价格后势确实不容乐观。
 

第四季各类 DRAM 需求明显转弱，现货价低于合约价出现“死亡交叉”
 

根据市调机构 TrendForce 指出，韩系大厂在第四季纷纷调降服务器 DRAM 的报价，估计第四季跌价达 5 %。这也是服务器 DRAM 涨价多时以来，第一次有明显的转弱讯号出现，由于云服务器在这一波 DRAM 涨价潮中占有举足轻重的地位，其需求转弱，预计整个 DRAM 产业将在此形成反转向下的拐点。
 

综合手机用 Mobile RAM、计算机 PC DRAM、消费型电子 Consumer DRAM，一直到云服务器应用的 Server DRAM 价格都逐一转为疲弱。TrendForce 统计，第四季整体 DRAM 合约价扩大下跌至 5 %。
 

业内人士分析，现货市场价格从年初开始下跌，今年 6 月底正式低于合约价，目前现货价格已经低于合约价约 10 %，这种情况通常被称为“死亡交叉”，对于产业供需走势是不好的征兆，显示未来合约价会再被现货价逼着往下调。
 

不过，若是回顾年初的 DRAM 产业气氛，当时仍是一片晴空万里。韩系存储大厂三星、SK 海力士第一季仍是持续调涨标准型、服务器、消费型和行动式等 DRAM 价格，当时整个市场供不应求的气氛并未获得纾解，当中，又以服务器 DRAM 缺货最严重。
 

因为来自全球各地的云服务、云计算需求涌现，且服务器 DRAM 的规格高阶，价格也较好，估计服务器 DRAM 报价相较于智能手机用的行动式 DRAM 高出 20%，因此，有能力的存储制造商在产能的调配上，会逐渐转到服务器 DRAM 产品上。
 

英特尔处理器缺货，PC 和服务器陆续受影响，将冲击存储价格加大跌幅

下半年存储价格转弱的另一个原因，是英特尔新平台 Whiskey Lake 缺货，影响计算机业者的出货，更进一步影响到整个存储产业的需求，冲击存储 DRAM 和 NAND Flash 的价格。
 

英特尔的处理器出现供货不足，不仅是改良版的 14 nm++，包括已量产半年多的 14 nm+的 Coffee Lake 产品线也同样是供给吃紧，因此对于整个计算机产业的出货造成冲击，预计明年才会纾解。
 

根据 TrendForce 对于 PC DRAM 第四季价格跌价的预估，原本幅度约 2 %，但受到英特尔供货不足影响，PC DRAM 的消耗量恐进一步缩减，PC DRAM 第四季价格跌幅将扩大。而同样受到影响的还有 NAND Flash 芯片的价格。
 

在服务器产业也是一样，笼罩在英特尔处理器缺货的阴影下，若是 PC 和服务器的处理器芯片双双缺货，对存储价格是雪上加霜。
 

英特尔下半年原本是服务器新旧平台转换期，其 Xeon 可扩充系列处理器是基于 Skylake-SP 架构设计，以此推出的 Purley 服务器平台被业界视为是英特尔近十年来最重要的产品线，将取代 Grantley 平台，专门为资料中心与网路基础架构所量身设计。
 

业界原本预期，今年下半正值英特尔服务器平台从 Grantley 转到新平台 Purley，眼看新旧平台换机潮就要启动，却传出英特尔产能不足的消息，未来这一波缺货潮是否也会扩大蔓延到服务器领域，影响到整个服务器产业的出货状况，也令人担心。
 

未来一年，是国内自制存储芯片问世的重要期
 

DRAM 和 NAND Flash 芯片荣景已经超过两年，去年下半 NAND Flash 芯片因为 3D NAND 良率提升，开始导入大量生产，导致价格率先疲软，累积至今已经下跌一年了，接棒是 DRAM 价格的走弱，都是反映半导体景气周期的变动。
 

这一年来，不单是全球存储价格的走弱，还有另一桩大事，就是国内自制存储芯片要开始进入验收期，明年有机会小幅量产。原本各界担心，国内存储芯片的量产，恐抑制全球 DRAM 价格，尤其 12 吋晶圆厂是遍地开花，潜在产能不是小数目。
 

全球存储价格反转向下之际，正值国内三大存储阵营要开始试产，包括生产 DRAM 的福晋建华、合肥长鑫，以及生产 3D NAND 芯片的长江存储，这不但考验存储产业中长期的供需平衡、价格走势，更考验这三大阵营未来的营运走势。

对比过往全球 DRAM 供应商还是 6 ~ 8 家时，供给十分混乱，各家都相争扩产，加上应用又过于集中于 PC 单一产业，没有其他应用可以分担产业淡季的冲击，导致 DRAM 价格密集的波动剧烈。
 

但现在的供应商已经整合为三家，大家都节制扩产，因此整个产业板块已相对稳健，这种 2 ~ 3 年才出现一次的价格反转周期，其实反映着产业健康的轮动，是自然现象。
 

不过，未来国内自制存储芯片是蓄势待发，无庸置疑是全球最不确定的一个大变数。在产业政策的大力扶植下，无论是产能规划、技术研发上都是倾全力投入，没有研发成不成功的问题，只有何时量产的期待值，未来，国内存储大厂有机会在国际市场上成为一股新势力，韩系、美系大厂将如何接招，也牵动全球存储版图的风貌!